Samsung entwickelt neuen HBM3E 12H-Chip mit Rekordkapazität zur Steigerung der KI-Leistung
Samsung Electronics hat einen neuen High-Bandwidth-Speicherchip angekündigt, der die “höchste Kapazität” in der Branche aufweist. Der südkoreanische Riese behauptet, dass das HBM3E 12H die Produktivität um mehr als 50 % erhöht”.
Anbieter von KI-Diensten benötigen zunehmend HBMs mit höherer Kapazität, und unser neues Produkt HBM3E 12H wurde entwickelt, um diesem Bedarf gerecht zu werden.
Diese neue Speicherlösung ist Teil unseres Engagements, Kerntechnologien für HBM-High-Stack-Laufwerke zu entwickeln und die Technologieführerschaft auf dem Markt für Hochleistungsspeicher im Zeitalter der KI zu übernehmen
– Yongcheol Bae, stellvertretender Vorsitzender des Bereichs Speicherprodukte bei Samsung Electronics.
Samsung Electronics ist der weltweit größte Hersteller von dynamischen Direktzugriffsspeicherchips, die in Verbrauchergeräten wie Smartphones und Computern verwendet werden.
Generative KI-Modelle, wie z. B. ChatGPT von OpenAI, benötigen eine große Anzahl von Hochleistungsspeicherchips. Sie ermöglichen es generativen KI-Modellen, sich an Details vergangener Gespräche und Benutzerpräferenzen zu erinnern, um menschenähnliche Antworten zu erzeugen.
Samsung hat nach eigenen Angaben bereits mit der Bereitstellung von Mustern für Kunden begonnen, und die Massenproduktion des HBM3E 12H ist für die erste Hälfte des Jahres 2024 geplant. Im September unterzeichnete Samsung einen Vertrag zur Belieferung von Nvidia mit seinen Speicherchips für hohe Bandbreiten, wie CNBC berichtet.
Die HBM3E 12H hat einen 12-lagigen Stapel, verwendet aber eine fortschrittliche nichtleitende Thermokompressionsfolie, die es ermöglicht, dass 12-lagige Produkte so hoch wie 8-lagige Produkte sind, um die aktuellen HBM-Verpackungsanforderungen zu erfüllen. Das Ergebnis ist ein Chip, der mehr Kapazität bei gleicher Größe bietet.
Samsung hat die Dicke seines NCF-Materials weiter reduziert und den branchenweit kleinsten Chip-to-Chip-Spalt von sieben Mikrometern (µm) erreicht, während gleichzeitig Hohlräume zwischen den Schichten eliminiert wurden. Diese Bemühungen führten zu einer Erhöhung der vertikalen Dichte um mehr als 20 % im Vergleich zu HBM3 8H.
